Compact Models for Integrated Circuit Design Conventional Transistors and Beyond
This modern treatise on compact models for circuit computer-aided design (CAD) presents industry standard models for bipolar-junction transistors (BJTs), metal-oxide-semiconductor (MOS) field-effect-transistors (FETs), FinFETs, and tunnel field-effect transistors (TFETs), along with statistical MOS...
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Recurso Electrónico Capítulo de Livro |
| Idioma: | inglês |
| Publicado em: |
Taylor & Francis
2015
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| Assuntos: | |
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DOAB: description of the publication
Compact Models for Integrated Circuit Design Conventional Transistors and Beyond
Publicado em 2015
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Recurso Electrónico
Capítulo de Livro