Simulasi fabrikasi dan pencirian elektrik 90nm NMOS menggunakan perisian SILVACO / Zairi Ismael Rizman ... [et al.]

Kertas penyelidikan ini menerangkan tentang kaedah merekabentuk 90nm semikonduktor logam oksida jenis-n, NMOS (N-Type Metal Oxide Semiconductor) menggunakan perisian SILVACO. Simulasi fabrikasi 90nm NMOS dilakukan dengan menggunakan modul ATHENA, manakala kajian ciri-ciri elektrik pula dilakukan den...

Ful tanımlama

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar: Rizman, Zairi Ismael (Yazar), Yeap, Kim Ho (Yazar), Miskon, Mohamad Taib (Yazar), Mohd Fauzi, Fadhli Dzul Hilmi (Yazar), Fadzal, Nazuha (Yazar), Mohamad, Norizan (Yazar)
Materyal Türü: Kitap
Baskı/Yayın Bilgisi: 2013.
Konular:
Online Erişim:Link Metadata
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!

MARC

LEADER 00000 am a22000003u 4500
001 repouitm_82941
042 |a dc 
100 1 0 |a Rizman, Zairi Ismael  |e author 
700 1 0 |a Yeap, Kim Ho  |e author 
700 1 0 |a Miskon, Mohamad Taib  |e author 
700 1 0 |a Mohd Fauzi, Fadhli Dzul Hilmi  |e author 
700 1 0 |a Fadzal, Nazuha  |e author 
700 1 0 |a Mohamad, Norizan  |e author 
245 0 0 |a Simulasi fabrikasi dan pencirian elektrik 90nm NMOS menggunakan perisian SILVACO / Zairi Ismael Rizman ... [et al.] 
260 |c 2013. 
500 |a https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/82941/1/82941.pdf 
520 |a Kertas penyelidikan ini menerangkan tentang kaedah merekabentuk 90nm semikonduktor logam oksida jenis-n, NMOS (N-Type Metal Oxide Semiconductor) menggunakan perisian SILVACO. Simulasi fabrikasi 90nm NMOS dilakukan dengan menggunakan modul ATHENA, manakala kajian ciri-ciri elektrik pula dilakukan dengan menggunakan modul ATLAS. Demi memperolehi pencirian elektrik yang sahih, peraturan penskalaan telah diaplikasikan. Peraturan penskalaan medan tetap telah digunapakai di dalam parameter-parameter seperti panjang saluran efektif. 
546 |a en 
690 |a Semiconductor physics 
655 7 |a Article  |2 local 
655 7 |a PeerReviewed  |2 local 
787 0 |n https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/82941/ 
787 0 |n https://e-ajuitmct.uitm.edu.my/v3/ 
856 4 1 |u https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/82941/  |z Link Metadata