PENGARUH TEMPERATUR DEPOSISI TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK PERSAMBUNGAN Al-GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN METODE SOL GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN COATING

• Main Author: Sera Graha Tresna, - (Author)
• Format: Book
• Published: 2011-02-25.
• Subjects: Thesis; NonPeerReviewed
• Online Access: Link Metadata
• Notes: http://repository.upi.edu/105332/1/s_fis_0608583_table_of_content.pdf; http://repository.upi.edu/105332/2/s_fis_0608583_chapter1.pdf; http://repository.upi.edu/105332/4/s_fis_0608583_chapter2.pdf; http://repository.upi.edu/105332/6/s_fis_0608583_chapter3.pdf; http://repository.upi.edu/105332/6/s_fis_0608583_chapter4.pdf; http://repository.upi.edu/105332/5/s_fis_0608583_chapter5.pdf; http://repository.upi.edu/105332/3/s_fis_0608583_bibliography.pdf
• Keywords: L Education (General); QC Physics

Film tipis GaN telah berhasil dideposisikan di atas subatrat silikon (111) dengan menggunakan metode sol gel teknik spin coating dengan kecepatan putaran sebesar 1108 rpm dan molaritas larutan sebesar 2.46 M. Lapisan-lapisan gel yang telah dihasilkan dimasukkan ke dalam programmable furnace dengan menvariasikan temperatur deposisi yang digunakan yaitu 850oC dan 900oC. Film tipis yang telah dideposisi kemudian dilakukan pembuatan kontak dengan menggunakan logam aluminium. Pembuatan kontak dilakukan dengan teknik evaporasi. Persambungan Al-GaN yang telah dihasilkan di uji karakterisasi I-V. Hal ini bertujuan untuk mengetahui karakteristik listrik pada persambungan Al-GaN. Hasil karakterisasi I-V menunjukkan bahwa persambungan Al-GaN dengan temperatur deposisi 900oC memiliki sifat listrik yang baik dibandingkan dengan persambungan Al-GaN yang dideposisi pada temperatur deposisi 850oC. Hal ini dikarenakan persambungan Al-GaN dengan temperatur deposisi 900oC memiliki nilai tegangan barrier yang kecil.