STUDI PENGARUH TEKANAN GAS NITROGEN TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK PERSAMBUNGAN AL-GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN TEKNIK SPIN COATING

Film tipis galium nitrida (GaN) telah dideposisi dengan teknik spin coating kemudian dimetalisasi dengan logam alumunium. Gel dipreparasi dari kristal gallium citrate amine dengan molaritas Ga2O3 2,45 M, lalu ditempatkan di atas substrat dan kemudian substrat tersebut diputar dengan laju 1108 rpm. L...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Ulwin Shofia Hajaroh, - (Author)
Format: Book
Published: 2011-02-25.
Subjects:
Online Access:Link Metadata
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

MARC

LEADER 00000 am a22000003u 4500
001 repoupi_105378
042 |a dc 
100 1 0 |a Ulwin Shofia Hajaroh, -  |e author 
245 0 0 |a STUDI PENGARUH TEKANAN GAS NITROGEN TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK PERSAMBUNGAN AL-GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN TEKNIK SPIN COATING 
260 |c 2011-02-25. 
500 |a http://repository.upi.edu/105378/6/s_fis_0608807_table_of_content.pdf 
500 |a http://repository.upi.edu/105378/1/s_fis_0608807_chapter1.pdf 
500 |a http://repository.upi.edu/105378/3/s_fis_0608807_chapter2.pdf 
500 |a http://repository.upi.edu/105378/2/s_fis_0608807_chapter3.pdf 
500 |a http://repository.upi.edu/105378/4/s_fis_0608807_chapter5.pdf 
500 |a http://repository.upi.edu/105378/5/s_fis_0608807_bibliography.pdf 
520 |a Film tipis galium nitrida (GaN) telah dideposisi dengan teknik spin coating kemudian dimetalisasi dengan logam alumunium. Gel dipreparasi dari kristal gallium citrate amine dengan molaritas Ga2O3 2,45 M, lalu ditempatkan di atas substrat dan kemudian substrat tersebut diputar dengan laju 1108 rpm. Lapisan yang diperoleh dikeringkan dengan hot plate kemudian ditempatkan dalam programmable furnace. Sampel #a dan #b dideposisi pada temperatur 900oC dalam lingkungan gas nitrogen dengan tekanan 0,5 kgf/cm2(sampel #a) dan 1,5 kgf/cm2 (sampel #b), masing-masing dalam rentang waktu 1 jam. Hasil pengukuran I-V menunjukan bahwa ketika tekanan gas nitrogen diperbesar dari 0,5 kgf/cm2 menjadi 1,5 kgf/cm2 potensial barrier pada persambungan schottky Al-GaN menurun dari 0,71 eV menjadi 0,66 eV. 
546 |a en 
546 |a en 
546 |a en 
546 |a en 
546 |a en 
546 |a en 
690 |a L Education (General) 
690 |a QC Physics 
655 7 |a Thesis  |2 local 
655 7 |a NonPeerReviewed  |2 local 
787 0 |n http://repository.upi.edu/105378/ 
787 0 |n http://repository.upi.edu 
856 |u https://repository.upi.edu/105378  |z Link Metadata