STUDI PENGARUH TEKANAN GAS NITROGEN TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK PERSAMBUNGAN AL-GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN TEKNIK SPIN COATING - Ulwin Shofia Hajaroh, - (2011)
Film tipis galium nitrida (GaN) telah dideposisi dengan teknik spin coating kemudian dimetalisasi dengan logam alumunium. Gel dipreparasi dari kristal gallium citrate amine dengan molaritas Ga2O3 2,45 M, lalu ditempatkan di atas substrat dan kemudian substrat tersebut diputar dengan laju 1108 rpm. Lapisan yang diperoleh dikeringkan dengan hot plate kemudian ditempatkan dalam programmable furnace. Sampel #a dan #b dideposisi pada temperatur 900oC dalam lingkungan gas nitrogen dengan tekanan 0,5 kgf/cm2(sampel #a) dan 1,5 kgf/cm2 (sampel #b), masing-masing dalam rentang waktu 1 jam. Hasil pengukuran I-V menunjukan bahwa ketika tekanan gas nitrogen diperbesar dari 0,5 kgf/cm2 menjadi 1,5 kgf/cm2 potensial barrier pada persambungan schottky Al-GaN menurun dari 0,71 eV menjadi 0,66 eV.