ANALISIS KARAKTERISTIK LISTRIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL SPIN COATING DENGAN VARIASI MOLARITAS Ga2O3, TEKANAN N2 DAN LAJU PUTARAN SPIN COATER

• Main Author: Reni Maharani, - (Author)
• Format: Book
• Published: 2011-02-25.
• Subjects: Thesis; NonPeerReviewed
• Online Access: Link Metadata
• Notes: http://repository.upi.edu/105545/2/s_fis_0608746_table_of_content.pdf; http://repository.upi.edu/105545/2/s_fis_0608746_chapter1.pdf; http://repository.upi.edu/105545/1/s_fis_0608746_chapter2.pdf; http://repository.upi.edu/105545/4/s_fis_0608746_chapter3.pdf; http://repository.upi.edu/105545/5/s_fis_0608746_chapter5.pdf; http://repository.upi.edu/105545/3/s_fis_0608746_bibliography.pdf
• Keywords: L Education (General); QC Physics

Telah dibuat film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas substrat silikon (111) menggunakan metode sol-gel dengan teknik spin-coating dengan massa Ga2O3 2 gram dan 2.3 gram, tekanan N2 yang dialirkan sebesar 0.5 kgf/cm2 dan 1.5 kgf/cm2, temperatur deposisi 850oC, serta laju putaran spin-coater sebesar 1108 rpm, 1500 rpm, 2000 rpm, dan 2500 rpm. Kontak yang digunakan adalah Alumunium. Sambungan Al-GaN ini dikarakterisasi karakteristik I-V nya dengan Elkahfi 100 I-V meter. Hasil dari penelitian ini menunjukkan bahwa molaritas Ga2O3, tekanan N2 dan laju putaran spin coater dapat mempengaruhi kurva karakteristik I-V yang dimiliki oleh GaN. Hasil karakteristik I-V menunjukkan bahwa persambungan Al-GaN yang dihasilkan bersifat Schottky. Dari penelitian ini, GaN dengan molaritas 2.454 M memiliki karakteristik I-V lebih baik dibandingkan GaN dengan molaritas 2.134 M pada tekanan N2 dan laju putaran spin coater dibuat tetap, GaN yang diberi tekanan N2 1.5 kgf/cm2 memiliki karakteristik I-V lebih baik dibandingkan GaN yang diberi tekanan N2 0.5 kgf/cm2 pada molaritas dan laju putaran spin coater dibuat tetap, dan GaN dengan laju putaran spin coater 2500 rpm memiliki karakteristik I-V lebih baik dibandingkan GaN dengan laju putaran spin coater 1500 rpm dan 2000 rpm pada tekanan N2 dan molaritas Ga2O3 dibuat tetap.