ANALISIS KARAKTERISTIK LISTRIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL SPIN COATING DENGAN VARIASI MOLARITAS Ga2O3, TEKANAN N2 DAN LAJU PUTARAN SPIN COATER
Telah dibuat film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas substrat silikon (111) menggunakan metode sol-gel dengan teknik spin-coating dengan massa Ga2O3 2 gram dan 2.3 gram, tekanan N2 yang dialirkan sebesar 0.5 kgf/cm2 dan 1.5 kgf/cm2, temperatur deposisi 850oC, serta laju putaran spin-coater sebesar 1...
Saved in:
Main Author: | Reni Maharani, - (Author) |
---|---|
Format: | Book |
Published: |
2011-02-25.
|
Subjects: | |
Online Access: | Link Metadata |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
-
PENGARUH TEKANAN PARSIAL GAS N2 TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PLD
by: Gian Permadi, -
Published: (2008) -
AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
by: Kühn, Jutta
Published: (2011) -
STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN
by: R Zia Mulyawan, -
Published: (2008) -
STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN
by: R Zia Mulyawan, -
Published: (2008) -
PENGARUH TEMPERATUR DEPOSISI TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK PERSAMBUNGAN Al-GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN METODE SOL GEL MENGGUNAKAN TEKNIK SPIN COATING
by: Sera Graha Tresna, -
Published: (2011)