PENGARUH KONSENTRASI BISMUTH TERHADAP HAMBURAN RAMAN PADA PADUAN GaAs1-xBix
Teknologi berbasis substrat GaAs menunjukkan berbagai macam keunggulan. Penyubstitusian bismuth (Bi) ke dalam GaAs telah dipelajari. Bi dapat menurunkan celah pita GaAs dari 1,4 eV hingga menjadi 0,8 eV. Reduksi celah pita yang besar dari pencampuran Bi dengan GaAs membuat GaAsBi bisa digunakan seba...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Book |
| Published: |
2020-01-27.
|
| Subjects: | |
| Online Access: | Link Metadata |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Be the first to leave a comment!