ANALISIS PENGARUH IMPLANTASI ION KARBON DAN BORON DI ATAS SUBSTRAT Si:As TERHADAP KARAKTERISTIK STRUKTUR DAN INTENSITAS FOTOLUMINESEN

• Main Author: Roni Sumantri, - (Author)
• Format: Book
• Published: 2020-01-27.
• Subjects: Thesis; NonPeerReviewed
• Online Access: Link Metadata

Summary

Silikon merupakan material semikonduktor yang tepat untuk dijadikan bahan penyusun IC optoelektronik. Namun, silicon mempunyai keterbatasan pada suhu operasi yang rendah untuk mengemisikan cahaya. Oleh karena itu, tulisan ini bertujuan untuk mengatasi masalah pendinginan suhu pada silicon. kami melakukan implantasi pada silicon dengan ion karbon dan boron untuk meningkatkan probabilitas rekombinasi radiatif. Sebelum melakukan implantasi, telah dilakukan simulasi untuk memprediksi kedalaman cacat yang dihasilkan menggunakan aplikasi SRIM. Terdapat tiga konfigurasi yang digunakan pada penelitian ini yaitu: substrat diimplantasi ion karbon 30 keV (W1A), karbon 30 keV + karbon 30 keV (W2A) dan karbon 30 keV + karbon 30 keV + Boron 10 keV (W2D). Hasil implantasi dikarakterisasi dengan photoluminescence spectroscopy pada suhu lingkungan 10-300 K untuk mengetahui karakteristik intensitas, panjang gelombang fotoluminesen sampel. Hasil simulasi menunjukkan bahwa distribusi ion sampel W1A, W2A dan W2D berturut-turut berada pada 835.2, 836.4, 683.5 Å. Jumlah vacancies tertinggi pada sampel W1A dan W2A hampir sama, yaitu berada pada kedalaman ~830 Å dan pada sampel W2D vacancies banyak terjadi pada kedalaman ~500 Å. Hasil karakterisasi fotoluminesen spektroskopi menunjukkan terdapat 2 puncak intensitas pada Panjang gelombang 1100 nm dan 1165 nm. Intensitas sampel W2D memiliki intensitas paling tinggi disbanding sampel W1A dan W2A. hal itu dikarenakan ion implantasi karbon boron dapat membuat loop dislokasi yang menghilangkan penghalang spasial sehingga rekombinasi radiative meningkat. Oleh karena itu, konfigurasi sampel W2D lebih baik dalam mengemisikan cahaya dibandingkan dengan konfgurasi pada W1A dan W2A. hal itu dikarenakan ion boron dapat membentuk loop dislokasi yang dapat meningkatkan intensitas luminesen. Kata Kunci: Ion Implantasi, Silikon, Fotoluminesen, Karbon, Boron, Quenching Temperatur

Item Description

http://repository.upi.edu/46283/1/S_FIS_1601460_Title.pdf
http://repository.upi.edu/46283/2/S_FIS_1601460_Chapter1.pdf
http://repository.upi.edu/46283/3/S_FIS_1601460_Chapter2.pdf
http://repository.upi.edu/46283/4/S_FIS_1601460_Chapter3.pdf
http://repository.upi.edu/46283/5/S_FIS_1601460_Chapter4.pdf
http://repository.upi.edu/46283/6/S_FIS_1601460_Chapter5.pdf
http://repository.upi.edu/46283/7/S_FIS_1601460_Appendix.pdf