STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN - R Zia Mulyawan, - (2008)
Telah berhasil dilakukan pembuatan dan karakterisasi fotokonduktor berstruktur Al/n-GaN dimana untuk pembentukan kontak metal-semikonduktor menggunakan metode fotolithographic. Hasil pengukuran responsivitas, menunjukkan bahwa fotokonduktor cukup peka terhadap sinar dengan panjang gelombang antara 346 nm sampai 365 nm yang termasuk ke dalam rentang panjang gelombang near ultraviolet (NUV). Sedangkan untuk panjang gelombang lebih besar dari 365 nm, respon arus mengalami penurunan secara tajam. Hal ini menggambarkan bahwa fotokonduktor memiliki panjang gelombang pancung (cutoff wavelength) λc = 365 nm. Fotokonduktor memiliki responsivitas 1,02 A/W dan gain fotokonduksi (G) sebesar 7,56 pada panjang gelombang 346 nm dengan tegangan bias 2,5 V. Dari hasil karakterisasi I-V pada fotokonduktor untuk kondisi gelap konduktivitasnya sekitar 45,73 Ω-1 cm-1, sedangkan untuk kondisi penyinaran diperoleh peningkatan konsentrasi elektron 9,82 x 1018 cm-3 dengan fotokonduktivitas 75,67 Ω-1 cm-1, berarti terdapat peningkatan konduktivitas pada fotokonduktor sekitar 29,94 Ω-1 cm-1 akibat penyinaran dengan panjang gelombang 365 nm (energi foton 3,4 eV). Dari kurva I-V tersebut juga diperoleh pada kondisi gelap tinggi barier antara almunium dengan GaN tipe-n adalah sekitar 0,44 eV, sedangkan tinggi barier pada kondisi penyinaran mengalami penurunan yaitu 0,43 eV. Resistansi kontak pada fotokonduktor sekitar 0,26 Ω cm2. Resistansi kontak yang rendah tersebut menunjukkan bahwa kontak alumunium dengan semikonduktor GaN tipe-n memiliki karakteristik kontak ohmik.