Erzeugung und Charakterisierung metallischer Nanostrukturen auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen

• Päätekijä: Hugelmann, Martin (auth)
• Aineistotyyppi: Elektroninen Kirjan osa
• Julkaistu: KIT Scientific Publishing 2004
• Aiheet: Technology: general issues; Halbleiter; Raster-Tunnel-Mikroskop; Nanostruktur; Barrierenhöhe; Elektrochemie
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Zyklische Voltammetrie und elektrochemisches Rastertunnelmikroskop (STM) wurden dazu verwendet die Eignung der Metalle Co, Pb, Cu und Au zur lokalisierten Elektrodeposition auf n-Si(111):H Einkristalloberflächen zu untersuchen. Dabei konnten auf atomar glatten n-Si(111):H Oberflächen abgeschiedene...