Chapter Spatial Atomic Layer Deposition

In conventional atomic layer deposition (ALD), precursors are exposed sequentially to a substrate through short pulses while kept physically separated by intermediate purge steps. Spatial ALD (SALD) is a variation of ALD in which precursors are continuously supplied in different locations and kept a...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Jiménez, Carmen (auth)
Kolejni autorzy: Bellet, Daniel (auth), Masse de la Huerta, César (auth), Muñoz-Rojas, David (auth), Huong Nguyen, Viet (auth)
Format: Elektroniczne Rozdział
Język:angielski
Wydane: InTechOpen 2019
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:DOAB: download the publication
DOAB: description of the publication
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Internet

DOAB: download the publication
DOAB: description of the publication

3rd Floor Main Library

Szczegóły zapisu 3rd Floor Main Library
Sygnatura: A1234.567
Egzemplarz 1 Dostępne