Micro- and Nanotechnology of Wide Bandgap Semiconductors

Owing to their unique characteristics, direct wide bandgap energy, large breakdown field, and excellent electron transport properties, including operation at high temperature environments and low sensitivity to ionizing radiation, gallium nitride (GaN) and related group III-nitride heterostructures...

Ful tanımlama

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Diğer Yazarlar: Piotrowska, Anna B. (Editör), Kamińska, Eliana (Editör), Wojtasiak, Wojciech (Editör)
Materyal Türü: Elektronik Kitap Bölümü
Dil:İngilizce
Baskı/Yayın Bilgisi: Basel, Switzerland MDPI - Multidisciplinary Digital Publishing Institute 2021
Konular:
Online Erişim:DOAB: download the publication
DOAB: description of the publication
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!

Internet

DOAB: download the publication
DOAB: description of the publication

3rd Floor Main Library

Detaylı Erişim Bilgileri 3rd Floor Main Library
Yer Numarası: A1234.567
Kopya Bilgisi 1 Kütüphanede