Micro- and Nanotechnology of Wide Bandgap Semiconductors

Owing to their unique characteristics, direct wide bandgap energy, large breakdown field, and excellent electron transport properties, including operation at high temperature environments and low sensitivity to ionizing radiation, gallium nitride (GaN) and related group III-nitride heterostructures...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Beste egile batzuk: Piotrowska, Anna B. (Argitaratzailea), Kamińska, Eliana (Argitaratzailea), Wojtasiak, Wojciech (Argitaratzailea)
Formatua: Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
Hizkuntza:ingelesa
Argitaratua: Basel, Switzerland MDPI - Multidisciplinary Digital Publishing Institute 2021
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:DOAB: download the publication
DOAB: description of the publication
Etiketak: Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!