Study The Responsory And Quantum Efficiency of Silicon P-N Junction by Using Pulse Plasma

In this work we have used plasma pulsed injector to prepare a P-N junction. Antimony was deposited on P-type silicon wafer and Indium was deposited on N-type silicon wafer. They were considered as thin film which was bombarded with accelerated hydrogen-ions from the pulsed plasma injector.<br /&g...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Salah A. Sheet (Autor), Mohammad N. Abdulwahab (Autor)
Format: Książka
Wydane: College of Education for Pure Sciences, 2020-12-01T00:00:00Z.
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:Connect to this object online.
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Internet

Connect to this object online.

3rd Floor Main Library

Szczegóły zapisu 3rd Floor Main Library
Sygnatura: A1234.567
Egzemplarz 1 Dostępne