OPTIMIZATION AND CHARACTERIZATION OF ELECTRON BEAM RESIST USING ATOMIC FORCE MICROSCOPY
<p>Resis negatif ma-N 2403 dan 495 K PMMA memiliki resolusi yang baik untuk aplikasi litografi berkas elektron (EBL). Ketebalanresist optimal memainkan peran penting dalam paparan berkas elektron. Oleh karena itu, dalam penelitian ini, ketebalan darikedua resist yang dioptimalkan menggunakan s...
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第一著者: | |
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フォーマット: | 図書 |
出版事項: |
Semarang State University,
2012-01-01T00:00:00Z.
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