OPTIMIZATION AND CHARACTERIZATION OF ELECTRON BEAM RESIST USING ATOMIC FORCE MICROSCOPY
<p>Resis negatif ma-N 2403 dan 495 K PMMA memiliki resolusi yang baik untuk aplikasi litografi berkas elektron (EBL). Ketebalanresist optimal memainkan peran penting dalam paparan berkas elektron. Oleh karena itu, dalam penelitian ini, ketebalan darikedua resist yang dioptimalkan menggunakan s...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Book |
| Published: |
Semarang State University,
2012-01-01T00:00:00Z.
|
| Subjects: | |
| Online Access: | Connect to this object online. |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Internet
Connect to this object online.3rd Floor Main Library
| Call Number: |
A1234.567 |
|---|---|
| Copy 1 | Available |