VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)

• Main Authors: S. Sulhadi (Author), F. Fatiatun (Author), P. Marwoto (Author), S. Sugianto (Author), E. Wibowo (Author)
• Format: Book
• Published: Semarang State University, 2015-01-01T00:00:00Z.
• Subjects: article
• Online Access: Connect to this object online.

Summary

<p>Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi 500 mtorr dengan metode <em>DC-magnetron sputtering</em>. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325^oC, 375^oC, dan 425^oC. Struktur, sifat optik dan sifat listrik film tipis yang dideposisikan telah dikarakterisasi dengan menggunakan EDX, XRD, SEM, spektrofotometer UV-Vis dan I-V Meter. Analisis EDX menunjukkan bahwa film yang terdeposisi merupakan film tipis ZnO:Ga. Hasil analisis struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO:Ga yang dideposisikan merupakan polikristalin dengan struktur heksagonal wurtzite. Film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325^o mempunyai kualitas kristal yang lebih baik dibandingkan dengan film yang dideposisikan pada suhu 375^o dan 425^oC. Hasil XRD juga terkonfirmasi dengan observasi SEM menunjukkan bahwa film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325^oC mempunyai ukuran butir yang lebih homogen dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada suhu deposisi 375^o dan 425^oC. Film tipis ZnO:Ga yang ditumbuhkan pada suhu 325^oC mencapai transmitansi optik ~ 89% dan energi bandgap ~3,33 eV. Sifat listrik dapat diketahui dengan menggunakan I-V Meter yang menunjukkan nilai  1,74 x10ˉ³ (Ωcm)ˉ¹ pada suhu deposisi 325^oC. </p><p>Thin films ZnO:Ga were deposited on corning glass substrates with argon gas pressure 500 mtorr and variation temperature at 325^oC,  375^oC and 425^oC by DC-Magnetron Sputtering. The structural studies, optical and electricity properties of the thin films have been investigated by means of EDX, XRD, SEM, Uv-Vis spectroscopy and I-V meter. The EDX result show that thin films were deposited is ZnO:Ga thin films. The structural studies result from XRD show the ZnO:Ga thin films deposited have polycrystalline with the hexagonal wurtzite structure. ZnO:Ga film were deposited at 325^oC have the better quality crystal with the other. The XRD result also appropriate with SEM, it was shown at 325^oC has grain size more homogeny with the other films. Thin films ZnO:Ga was deposited at 325^oC has the optical transmittance ~89% and the bandgap ~3,33 eV. Electrical conductivity 1.74 x10ˉ³ (Ωcm)ˉ¹ at deposited  325^oC. </p>

Item Description

1693-1246
2355-3812
10.15294/jpfi.v11i1.4007