Gas sensitive al membarane on n-type gan schottky diode / A. Y Hudeish, A. Abdul Aziz and Z. Hassan

In this work, we have studied and fabricated a new, simple and small-size N2 and H2 sensitive Aluminum (AI) membrane/semiconductor (Al/n-GaN) Schottky diode sensor. Experimental results revealed that, during the hydride or nitride formation process, the time response increased and enhanced with temp...

Ful tanımlama

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar: Hudeish, A. Y. (Yazar), Abdul Aziz, A. (Yazar), Hassan, Z. (Yazar)
Materyal Türü: Kitap
Baskı/Yayın Bilgisi: 2004.
Konular:
Online Erişim:Link Metadata
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!

Internet

Link Metadata

3rd Floor Main Library

Detaylı Erişim Bilgileri 3rd Floor Main Library
Yer Numarası: A1234.567
Kopya Bilgisi 1 Kütüphanede