Cover Image

Simulasi fabrikasi dan pencirian elektrik 90nm NMOS menggunakan perisian SILVACO / Zairi Ismael Rizman ... [et al.]

Kertas penyelidikan ini menerangkan tentang kaedah merekabentuk 90nm semikonduktor logam oksida jenis-n, NMOS (N-Type Metal Oxide Semiconductor) menggunakan perisian SILVACO. Simulasi fabrikasi 90nm NMOS dilakukan dengan menggunakan modul ATHENA, manakala kajian ciri-ciri elektrik pula dilakukan den...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Rizman, Zairi Ismael (Author), Yeap, Kim Ho (Author), Miskon, Mohamad Taib (Author), Mohd Fauzi, Fadhli Dzul Hilmi (Author), Fadzal, Nazuha (Author), Mohamad, Norizan (Author)
Format: Book
Published: 2013.
Subjects:
Article
PeerReviewed
Online Access:Link Metadata
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Kertas penyelidikan ini menerangkan tentang kaedah merekabentuk 90nm semikonduktor logam oksida jenis-n, NMOS (N-Type Metal Oxide Semiconductor) menggunakan perisian SILVACO. Simulasi fabrikasi 90nm NMOS dilakukan dengan menggunakan modul ATHENA, manakala kajian ciri-ciri elektrik pula dilakukan dengan menggunakan modul ATLAS. Demi memperolehi pencirian elektrik yang sahih, peraturan penskalaan telah diaplikasikan. Peraturan penskalaan medan tetap telah digunapakai di dalam parameter-parameter seperti panjang saluran efektif.
Item Description:https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/82941/1/82941.pdf

Similar Items