Simulasi fabrikasi dan pencirian elektrik 90nm NMOS menggunakan perisian SILVACO / Zairi Ismael Rizman ... [et al.]

• Główni autorzy: Rizman, Zairi Ismael (Autor), Yeap, Kim Ho (Autor), Miskon, Mohamad Taib (Autor), Mohd Fauzi, Fadhli Dzul Hilmi (Autor), Fadzal, Nazuha (Autor), Mohamad, Norizan (Autor)
• Format: Książka
• Wydane: 2013.
• Hasła przedmiotowe: Article; PeerReviewed
• Dostęp online: Link Metadata

Streszczenie

Kertas penyelidikan ini menerangkan tentang kaedah merekabentuk 90nm semikonduktor logam oksida jenis-n, NMOS (N-Type Metal Oxide Semiconductor) menggunakan perisian SILVACO. Simulasi fabrikasi 90nm NMOS dilakukan dengan menggunakan modul ATHENA, manakala kajian ciri-ciri elektrik pula dilakukan dengan menggunakan modul ATLAS. Demi memperolehi pencirian elektrik yang sahih, peraturan penskalaan telah diaplikasikan. Peraturan penskalaan medan tetap telah digunapakai di dalam parameter-parameter seperti panjang saluran efektif.

Deskrypcja

https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/82941/1/82941.pdf