PENGARUH TEKANAN PARSIAL GAS N2 TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PLD
Telah berhasil dilakukan penumbuhan dan karakterisasi sifat fisis film tipis galium nitrida (GaN) yang ditumbuhkan di atas substrat saphire (Al2O3) dengan metode pulsed laser deposition (PLD). Ketebalan film tipis untuk ketiga sampel adalah 90 nm, 171 nm, dan 201 nm. Laju aliran gas N2 divariasikan...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Book |
| Published: |
2008-07-16.
|
| Subjects: | |
| Online Access: | Link Metadata |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Internet
Link Metadata3rd Floor Main Library
| Call Number: |
A1234.567 |
|---|---|
| Copy 1 | Available |