PENGARUH TEKANAN PARSIAL GAS N2 TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PLD
Telah berhasil dilakukan penumbuhan dan karakterisasi sifat fisis film tipis galium nitrida (GaN) yang ditumbuhkan di atas substrat saphire (Al2O3) dengan metode pulsed laser deposition (PLD). Ketebalan film tipis untuk ketiga sampel adalah 90 nm, 171 nm, dan 201 nm. Laju aliran gas N2 divariasikan...
Saved in:
Main Author: | Gian Permadi, - (Author) |
---|---|
Format: | Book |
Published: |
2008-07-16.
|
Subjects: | |
Online Access: | Link Metadata |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
-
ANALISIS KARAKTERISTIK LISTRIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE SOL-GEL SPIN COATING DENGAN VARIASI MOLARITAS Ga2O3, TEKANAN N2 DAN LAJU PUTARAN SPIN COATER
by: Reni Maharani, -
Published: (2011) -
STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN
by: R Zia Mulyawan, -
Published: (2008) -
STUDI AWAL PEMBUATAN FOTOKONDUKTOR ULTRAVIOLET (UV) BERSTRUKTUR Al/n-GaN
by: R Zia Mulyawan, -
Published: (2008) -
AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
by: Kühn, Jutta
Published: (2011) -
Ohmic contacts properties Pd/Ag metallization scheme on P-type GaN / C. W. Lim ... [et al.]
by: Lim, C. W., et al.
Published: (2004)