Chapter Spatial Atomic Layer Deposition

In conventional atomic layer deposition (ALD), precursors are exposed sequentially to a substrate through short pulses while kept physically separated by intermediate purge steps. Spatial ALD (SALD) is a variation of ALD in which precursors are continuously supplied in different locations and kept a...

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書誌詳細
第一著者: Jiménez, Carmen (auth)
その他の著者: Bellet, Daniel (auth), Masse de la Huerta, César (auth), Muñoz-Rojas, David (auth), Huong Nguyen, Viet (auth)
フォーマット: 電子媒体 図書の章
言語:英語
出版事項: InTechOpen 2019
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