Chapter Spatial Atomic Layer Deposition

In conventional atomic layer deposition (ALD), precursors are exposed sequentially to a substrate through short pulses while kept physically separated by intermediate purge steps. Spatial ALD (SALD) is a variation of ALD in which precursors are continuously supplied in different locations and kept a...

Полное описание

Сохранить в:

Библиографические подробности
Главный автор:	Jiménez, Carmen (auth)
Другие авторы:	Bellet, Daniel (auth), Masse de la Huerta, César (auth), Muñoz-Rojas, David (auth), Huong Nguyen, Viet (auth)
Формат:	Электронный ресурс Глава книги
Язык:	английский
Опубликовано:	InTechOpen 2019
Предметы:	Materials science chemical vapor deposition, spatial atomic layer deposition (SALD), atmospheric pressure, in-line processing, thin films, transparent conductive materials, fluid dynamics
Online-ссылка:	OAPEN Library: download the publication OAPEN Library: description of the publication
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Chapter Spatial Atomic Layer Deposition по Jiménez, Carmen

Опубликовано 2019

DOAB: download the publication
DOAB: description of the publication

Электронный ресурс Глава книги

Chapter Spatial Atomic Layer Deposition

Chapter Spatial Atomic Layer Deposition по Jiménez, Carmen

Схожие документы